Onderzoekers aan de Universiteit van Tokyo demonstreren een antiferromagnetisch geheugenelement dat in 40 picoseconden van bit wisselt, zonder de hitte die eerdere ultrasnelle schakelaars onbruikbaar maakte.
Een team rond Satoru Nakatsuji aan de Universiteit van Tokyo heeft een spintronisch geheugenapparaat gedemons…
Het gebruikte materiaal is Mn3Sn, een antiferromagnetische verbinding van mangaan en tin.
Naast de elektrische route koppelden de onderzoekers een fotodiode aan het geheugenelement.
DRAM schakelt in de orde van nanoseconden en moet duizenden keren per seconde worden ververst, wat een contin…
Grote AI-modellen lopen vast op geheugenbandbreedte en op het stroomverbruik van geheugenverkeer.